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BB101M 반도체 회로 부품 판매점

Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier



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Hitachi
BB101M 데이터시트, 핀배열, 회로
BB101M
Build in Biasing Circuit MOS FET IC
UHF RF Amplifier
ADE-208-504
1st. Edition
Features
Build in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.
Low noise characteristics; (NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz)
Withstanding to ESD; Build in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF,
Rs = 0 conditions.
Outline
MPAK-4
2
3
1
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain


BB101M 데이터시트, 핀배열, 회로
BB101M
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate 1 to source voltage
Symbol
VDS
VG1S
Gate 2 to source voltage
Drain current
Channel power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
VG2S
ID
Pch
Tch
Tstg
Ratings
6
+6
–0
±6
25
150
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
2




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제조업체: Hitachi

( hitachi )

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